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當(dāng)電流流過固態(tài)繼電器可控硅結(jié)點(diǎn)時(shí)，根據(jù)焦耳定律，在結(jié)點(diǎn)處會產(chǎn)生一定的熱損耗。如何將散熱器和固態(tài)繼電器結(jié)合起來，達(dá)到最好的散熱能力，這對于固態(tài)繼電器能否長時(shí)間穩(wěn)定工作起著決定性作用。當(dāng)然，散熱能力取決于散熱器的尺寸、環(huán)境溫度以及固態(tài)繼電器與散熱器之間結(jié)合的好壞。

可控硅與底板連接

國內(nèi)低端固態(tài)繼電器都是直接用螺絲將可控硅芯片固定在繼電器金屬底板上，這樣種方式的導(dǎo)熱效果很差，特別在使用一段時(shí)間后非常差，固態(tài)繼電器非常容易損壞。

國內(nèi)稍微好一點(diǎn)的固態(tài)繼電器則采用了焊接工藝，將可控硅芯片焊接到金屬底板上，這樣可控硅芯片與金屬底板之間結(jié)合更加緊密。相對于直接用螺絲擰來說，散熱能力更強(qiáng)。對于進(jìn)口高端品牌固態(tài)繼電器來說，采用了DCB技術(shù)，獲得了最好的散熱效果。

DCB技術(shù)

根據(jù)不同需求和性能要求，通常將芯片合成到基于陶瓷（Beo或Al₂O₃）基板的線路上，陶瓷基板通常由幾種不同的材料夾層組成。

在中低功率芯片上，傳統(tǒng)合成工藝一般采用粘膠、焊接或真空蒸鍍。由于不同材料的熱膨脹率不一樣，采用傳統(tǒng)工藝的這些合成件夾層之間空隙數(shù)量會隨使用時(shí)間快速增加，空隙數(shù)量增多會顯著降低產(chǎn)品的導(dǎo)熱性能。

在DCB技術(shù)中，三明治型式的夾層是采用熱壓縮技術(shù)合成，這種技術(shù)使銅原子擴(kuò)散到陶基板的上半部，完全結(jié)合。這使得合成件具有一致的熱性能，對不同材料產(chǎn)生不同的熱膨脹效應(yīng)不敏感。對于大功率固態(tài)繼電器，尤其是75，100和125安培的繼電器，在外殼散熱底板部加入一塊厚銅板，可以加快熱傳到散熱器。DBC技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)中，下面幾點(diǎn)特別值得一提：

● 改善熱阻

● 更高的帶負(fù)載能力

● 工作溫度高達(dá)800℃（不包括電子芯片）

● 由于間隙更少，可靠性提高

● 降低組裝成本，并節(jié)省材料

將銅擴(kuò)散到陶瓷芯片的上部，也使得合成件相比傳統(tǒng)方法合成的合成件具有更好的機(jī)械抵抗能力。因此固態(tài)繼電器的輸出端可以直接連接到芯片上，這樣顯著提高了固態(tài)繼電器的電氣性能和散熱效果。