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    真空鍍膜過程是在真空環(huán)境中氣態(tài)原子或分子像基板輸運沉積的過程，它通常包含沉積物的生成和沉積后的凝聚生長這兩步。

    物理氣相沉積（PVD）法，是指沉積物主要由固體材料汽化形成，如蒸發(fā)源中材料的加熱蒸發(fā)，離子對靶材的轟擊濺射，或者雖然利用蒸發(fā)源或濺射源，在其前往基板的途中還通過氣體放電使部分原子得以離化，這就構(gòu)成了所謂的蒸發(fā)鍍、濺射鍍和離子鍍。

    化學氣相沉積（CVD）法，是指沉積物主要通過氣體化學反應(yīng)形成。屬于真空鍍膜范疇的有低壓CVD、等離子體CVD和光CVD等。反應(yīng)氣體的分解、激發(fā)和化學反應(yīng)，是借助于高溫、放電等離子體和光輻照實現(xiàn)的。

    現(xiàn)在有些稱PVD法的已不單純是物理過程，有些也引入反應(yīng)氣體，使得沉積物在輸運過程中伴隨著有化學反應(yīng)。

    沉積物在基板上的凝聚生長，不是簡單的隨機堆積，不然就只能形成非晶態(tài)膜了，事實上薄膜結(jié)構(gòu)有非晶態(tài)的，也有多晶和單晶的。這是因為沉積的原子會遷移，而原子遷移的強弱和狀態(tài)取決于原子之間以及同基板之間的相互作用，還有基板溫度、氣體壓力、離子轟擊和其它一些因素的影響。特別是當成膜過程中有離子參與時，原子遷移和相互作用將大大增強，從而引起膜的組織結(jié)構(gòu)、相成分、附著力、內(nèi)應(yīng)力、成膜溫度和其它性能的變化。

    （慧樸科技，huiputech）