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科普知識
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電阻加熱器

電容的濾波和退耦

發(fā)布日期:2022-10-18 點(diǎn)擊率:73

電容,說起來也簡單,干過硬件開發(fā)的基本都知道電容的作用。但更深層次的邏輯,不曉得你考慮過沒。
 
一道面試題
 
照例,先拋出來一道面試“芯片的電源引腳通常會放置一顆或幾顆電容,有什么用?為什么?” 怎么樣?看似很簡單的問題,但往往暗藏玄機(jī)。
 
自我感覺良好的答案
 
有些小伙伴會覺得:這面試官真Low,居然問這種問題。芯片電源引腳掛電容的作用,這還用問?當(dāng)然是儲能、濾波、退耦!
 
當(dāng)然,這個答案沒問題,但只能說是浮于表面或者千篇一律。那么你的得分也不會和別人有什么差別。而面試官憑什么要給你pass呢?
 
下面我們從幾個不同的維度來分析這。
 
維度1:EMS-提供高頻噪聲泄放回路
 
首先,我們從EMS(電磁抗擾度)角度來分析下。
我們從EMS(電磁抗擾度)角度來分析下
 
從上圖可以看出,當(dāng)芯片電源引腳端沒有放置電容時,電源的回流路徑很長。通常情況下,電源上會攜帶有高頻噪聲。這樣噪聲會輕而易舉的進(jìn)入到芯片工作環(huán)路,影響芯片工作。
 
這樣噪聲會輕而易舉的進(jìn)入到芯片工作環(huán)路,影響芯片工作
當(dāng)在芯片電源引腳端放置電容后,由于電容有“通高頻,阻低頻”特性,電容給高頻噪聲提供了低阻抗回流路徑,使得高頻噪聲快速返回到GND,減少流入芯片環(huán)路的干擾噪聲,提升系統(tǒng)的EMS抗擾度性能。
 
模型仿真-時域頻域雙管齊下
 
可能你覺得只是這么講,有些不太信服。那么我們通過實驗來驗證下。還記得上篇文章講的TINA-TI仿真工具吧,我們就用這個來仿真。
我們就用這個來仿真
把我們的電源當(dāng)做一個激勵源VG1,內(nèi)阻設(shè)置為100mΩ。激勵源本身可以設(shè)置內(nèi)阻,為了方便觀察,單獨(dú)放置一個R1=100mΩ。PCB板上的Layout走線,一般都會有寄生電感。經(jīng)驗值為10nH/cm,我們這里設(shè)置L1=20nH,2cm的走線長度不過分吧。芯片端,C1為寄生電容,C1=1nF。R2為輸入電阻,通常很大,R2設(shè)置為1MΩ。VF1是輸出測試點(diǎn)。這樣模型就建立起來了。
 
這里為方便觀察,我們把VG1設(shè)置為50Hz的方波,直流偏置1V,交流分量1V。進(jìn)行瞬時仿真,就出現(xiàn)下面的波形。
就出現(xiàn)下面的波形
 
發(fā)現(xiàn)VF1的波形,正負(fù)都有很大的過沖!為什么?
 
時域沒想明白,那就轉(zhuǎn)到頻域看看。
 
我們用交流分析方式,看下這個模型的幅頻特性。通過下圖可以看出,在f=35.9MHz處,發(fā)生諧振。諧振點(diǎn)增益達(dá)到30.72dB。
 
諧振點(diǎn)增益達(dá)到30.72dB
 
而我們知道方波信號在信號的上升邊沿包含非常豐富的頻率分量,必定含有35.9MHz附近的頻率分量。諧振點(diǎn)附近的能量就會被放大很多倍,這樣輸出端信號存在過沖也不難理解。
 
下圖,展示了時域波形是由多個不同頻率的諧波分量合成。這些諧波分量的頻率不同,上升沿各不相同。
 
上升沿各不相同
(圖片來自《信號完整性與電源完整性分析(第2版)》)
 
既然如此,增加了電容會怎樣呢?如下圖,分別增加4.7uf和0.1uf。
分別增加4.7uf和0.1uf。
先看下時域效果,如下圖,VF1的過沖消失了!
VF1的過沖消失了
再看下頻域效果,諧振消失!這曲線不就是低通濾波器么!截止頻率大概460kHz。    
 
截止頻率大概460kHz
 
這正好證實了前面的說法:雖然方波上升沿攜帶有豐富的高頻分量,但是由于低通濾波器的存在,為高頻噪聲提供了低阻抗泄放路徑,使得高頻噪聲和高次諧波提前泄放到系統(tǒng)GND,減少了流入芯片系統(tǒng)的干擾,干擾噪聲得到抑制,提升了系統(tǒng)的EMS性能。
 
維度2:EMI-減小RF環(huán)路,降低空間輻射
 
接著,我們再從EMI(電磁干擾)角度來分析下。
 
初中物理的右手螺旋定則,還記得吧。用右手握住通電螺線管,讓四指指向電流的方向,那么大拇指所指的那一端是通電螺線管的N極。這是百度百科給出的定義。
 
這是百度百科給出的定義
(圖片來自網(wǎng)絡(luò):百度百科)
在我們這里又有什么用途呢?我們先看下,芯片引腳端沒有放置電容的情況,電流環(huán)路很大。
電流環(huán)路很大
再看下,芯片引腳端放置電容的情況,電流環(huán)路明顯減小。
電流環(huán)路明顯減小
 
那電流環(huán)路大和小有什么區(qū)別呢?當(dāng)然有區(qū)別,而且很大。在EMC設(shè)計中,控制信號環(huán)路面試是一個非常重要的點(diǎn)。我們一起看下在自由空間中,環(huán)路輻射強(qiáng)度的公式:
環(huán)路輻射強(qiáng)度的公式
E是電場強(qiáng)度,S是環(huán)路面積,I是電流,f是頻率,D是和環(huán)路之間的距離。由此可以看出,環(huán)路面積S越大,空間輻射強(qiáng)度E就越大。顯然,增加退耦電容后,減小環(huán)路面積S,可以降低空間輻射,減少噪聲的傳播。
 
維度3:PI-穩(wěn)定電源電壓
 
第3個維度,穩(wěn)定芯片電源電壓,提升電源完整性(PI)。這個就不過多解釋,很容易理解。
 
總結(jié)
 
現(xiàn)在3個維度已經(jīng)分析完,總體來看下。
 
維度1:給高頻噪聲提供交流泄放回路,抑制高頻噪聲,提升EMS性能。實際就是電容的濾波功能,也可以說是旁路。
維度2:減小RF環(huán)路,降低空間輻射,削弱噪聲的傳播。實際就是電容的退耦功能。
維度3:穩(wěn)定電源電壓,提升電源完整性,實際就是電容的儲能功能。
 
其實,單純的說電容的功能很簡單,關(guān)鍵是要理解其中的原理,并能夠靈活應(yīng)用。以上所述,部分內(nèi)容涉及個人理解,如有覺得不妥,歡迎留言討論。
      
怎么樣?一個簡短的問題,給出的回答可淺可深,就看你對這個知識點(diǎn)的理解達(dá)到怎樣的程度。你學(xué)廢了么?

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