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科普知識(shí)
數(shù)據(jù)分類:
開(kāi)發(fā)板

PIN Diode射頻開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與調(diào)試

發(fā)布日期:2022-10-14 點(diǎn)擊率:87

在小功率無(wú)線產(chǎn)品射頻開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)中,我們常常選用CMOS,GaAs,SOI等工藝的射頻器件,其外圍電路很簡(jiǎn)單,通常只需要配合電阻電容就可以正常工作。但是在大功率場(chǎng)合,設(shè)計(jì)工作就變得復(fù)雜起來(lái),通常需要使用PIN Diode射頻開(kāi)關(guān)。無(wú)線時(shí)代在近期的一款大功率無(wú)線設(shè)備研發(fā)過(guò)程中,就使用了Skyworks的SKY12207-478LF PIN Diode開(kāi)關(guān),并為其設(shè)計(jì)了合適的驅(qū)動(dòng)電路,通過(guò)調(diào)試,已經(jīng)可以正常工作。

sky12207

SKY12207-478LF主要特征

  • 高功率,CW (Continue Wave)50W,峰值功率300W
  • 低插入損耗,典型值0.4dB
  • 高隔離度,42dB@2.6GHz
  • 適用于TD-SCDMA,WiMAX,LTE基站等設(shè)備

SKY12207-478LF工作原理概述

我們暫且不對(duì)SKY12207-478LF的細(xì)節(jié)工作原理做深入的探討。下圖是SKY12207-478LF的等效框圖,其導(dǎo)通狀態(tài)由加在ANT端的5V及TX/RX端的28V/0V偏置電壓來(lái)決定,例如,處于發(fā)射狀態(tài)下,TX設(shè)置為0V,而RX端設(shè)置為28V。

SKY12207-Equivalent-Circuit

SKY12207-478LF的偏置電壓為28V,這與功率管LDMOS的供電電壓一致。Datasheet中給出了SKY12207-478LF的參考設(shè)計(jì)電路及對(duì)應(yīng)的真值表。

SKY12207-Schematic

 

SKY12207-TrueTable

那么,只要構(gòu)建出符合真值表的驅(qū)動(dòng)電路,就可以使SKY12207-478LF正常工作。

PIN Diode射頻開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

這個(gè)產(chǎn)品是無(wú)線時(shí)代網(wǎng)站之前提到過(guò)的超大功率射頻功率放大器,驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)分析過(guò)程如下:

  • 來(lái)自收發(fā)判別電路的邏輯電壓為5V,用5V的邏輯電壓實(shí)現(xiàn)對(duì)28V偏置電壓的控制,MOS管是最佳選擇
  • 同樣的端口(TX/RX/RXBIAS)可以提供28V供電,也可以實(shí)現(xiàn)對(duì)地短路,同時(shí)還可以可以提供合適的偏置電流
  • 符合真值表的控制邏輯
  • Vds>50V,Ids>100mA
  • 盡量選用封裝尺寸較小的器件

我參照了DCDC的開(kāi)關(guān)電路,設(shè)計(jì)了如下的驅(qū)動(dòng)電路,原理圖中PIN Diode射頻開(kāi)關(guān)型號(hào)為SKY12210-478LF,與SKY12207-478LF pin-to-pin。其中,來(lái)自收發(fā)判別電路的TX_EN與RX_EN邏輯電平總是相反的,這樣,Q3,Q5不能同時(shí)導(dǎo)通,Q6,Q8也不能同時(shí)導(dǎo)通。當(dāng)然這種方法有一定的局限性,開(kāi)關(guān)頻率過(guò)高時(shí)可能會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題,很多電源芯片在這方面都做了特殊處理,本設(shè)計(jì)不做考慮。

驅(qū)動(dòng)電路中使用了四顆NMOS與兩顆PMOS,都是Vishay公司的SOT-23封裝的MOS管。當(dāng)來(lái)自收發(fā)判別電路的TX_EN為“1”時(shí),RX_EN為“0”,Q5導(dǎo)通,Q4截止,Q3的Vgs=0,Q3截止,對(duì)應(yīng)的RX28網(wǎng)絡(luò)對(duì)地短路,即TX與RXBIAS端口均為0V;Q8的Vgs=0,Q8截止,Q7導(dǎo)通,Q6的Vgs<0,Q6導(dǎo)通,對(duì)應(yīng)的TX28網(wǎng)絡(luò)連接至28V電源,即RX端口為28V,符合真值表。當(dāng)來(lái)自收發(fā)判別電路的TX_EN為“0”時(shí),RX_EN為“1”時(shí),MOS管導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)與上述過(guò)程相反,同樣滿足真值表。PIN-Diode-Driver

PIN Diode射頻開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路調(diào)試

在確定收發(fā)判別電路可以正確地給出邏輯電平之后,發(fā)現(xiàn)Q8特別容易損壞,很容易想到一定是有較大的電流流過(guò)Q8,才會(huì)這樣。設(shè)計(jì)過(guò)程中已經(jīng)仔細(xì)確認(rèn)過(guò),Si2308完全可以勝任1A以上的電流,而TX26與RX28網(wǎng)絡(luò)都有限流電阻,流過(guò)Q8的電流不可能超過(guò)1A,那么唯一的可能就是Q6導(dǎo)通了!TX_EN為“0”時(shí),RX_EN為“1”時(shí),Q7正確地處于截止?fàn)顟B(tài),Q6的Vgs=0,按理說(shuō)Q6不可能導(dǎo)通,那么唯一的可能就是Q6有較大的漏電流。

Si2309

從Si2309的Datasheet中仍然看不出問(wèn)題,索性將Si2309更換為Si2305,同樣是一顆PMOS,出現(xiàn)于TI的TPS23754 802.3at PD解決方案中,Si2305的典型特征是很高的工作電壓,可以達(dá)到-150V。將Q3,Q6均更換為Si2305,PIN Diode射頻開(kāi)關(guān)SKY12207-478LF終于可以正常工作了。

在這次調(diào)試設(shè)計(jì)與調(diào)試過(guò)程中,無(wú)線時(shí)代充分融合了各個(gè)電路模塊的設(shè)計(jì)調(diào)試經(jīng)驗(yàn),采用與DCDC類似的驅(qū)動(dòng)電路,并使用了PoE電路中的高壓MOS管,最終實(shí)現(xiàn)了對(duì)PIN Diode射頻開(kāi)關(guān)的驅(qū)動(dòng)。在后來(lái)的研究中,發(fā)現(xiàn)有很多現(xiàn)成的PIN Diode開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)芯片,也有采用分立元件的方法,有興趣的讀者可以研究研究。

附:什么是PIN Diode

PIN二極管(positive-intrinsicnegative diode,縮寫為PIN Diode),是在兩種半導(dǎo)體之間的PN結(jié),或者半導(dǎo)體與金屬之間的結(jié)的鄰近區(qū)域,吸收光輻射而產(chǎn)生光電流的一種光檢測(cè)器。普通的二極管由PN結(jié)組成,在P和N半導(dǎo)體材料之間加入一薄層低摻雜的本征(Intrinsic)半導(dǎo)體層,組成的這種P-I-N結(jié)構(gòu)的二極管就是PIN 二極管。

372px-Pin-Diode_svg

加負(fù)電壓(或零偏壓)時(shí),PIN管等效為電容+電阻;加正電壓時(shí),PIN管等效為小電阻。用改變結(jié)構(gòu)尺寸及選擇PIN二極管參數(shù)的方法,使短路的階梯脊波導(dǎo)的反射相位(基準(zhǔn)相位)與加正電壓的PIN管控制的短路波導(dǎo)的反射相位相同。還要求加負(fù)電壓(或0偏置)的PIN管控制的短路波導(dǎo)的反射相位與標(biāo)準(zhǔn)相位相反(-164°~+164°之間即可)。


PIN Diode(二極管)射頻開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與調(diào)試?yán)m(xù)(2014年6月25日)

本文前幾天提到的解決方案,在后來(lái)的測(cè)試中出現(xiàn)了問(wèn)題,為了防止誤導(dǎo)讀者,我在此做出修正。

前文提到Si2309異常損壞,后經(jīng)過(guò)仔細(xì)推敲,分析,發(fā)現(xiàn)有兩方面原因,一是N-MOS在應(yīng)該截止的時(shí)刻意外導(dǎo)通,二是Si2309的Vgs超過(guò)了其最大承受范圍。

在下圖中,當(dāng)系統(tǒng)處于接收狀態(tài)時(shí),RX_EN應(yīng)為邏輯1,TX_EN應(yīng)為邏輯0,按照正常計(jì)算,當(dāng)TX_EN為邏輯1時(shí),A7導(dǎo)通,Q6的Vgs=28*(1/11 - 1)= -24.5V,超出了Si2309 Datasheet中+-20V的范圍。

pin-diode-driver-analyze

實(shí)際測(cè)試時(shí),一件意想不到的事情發(fā)生了,TX_EN為邏輯0時(shí),實(shí)際的電壓值時(shí)0.7V,而這小小的0.7V竟然令Q7導(dǎo)通了,這與Si2309中所描述的天壤之別,如下圖,當(dāng)Vgs為0.7V時(shí),Id應(yīng)為0,Si2309應(yīng)處于截止?fàn)顟B(tài),而實(shí)際并非如此。

SI2309-Parameter

無(wú)奈之際,我想到了三極管,F(xiàn)MMT493TC是一顆用在TPS2379參考設(shè)計(jì)中的高壓NPN三極管,其工作電壓大于100V,Ic更可以達(dá)到1A,完全可以符合這個(gè)PIN Diode驅(qū)動(dòng)電路的要求。如前所述,邏輯0是有0.7V左右的電壓,如果直接加在FMMT493TC,一定會(huì)使其導(dǎo)通,于是采用分壓的方法提供基極偏置電壓。最終調(diào)整完成的原理圖如下(其中No Load即為不貼裝),經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期測(cè)試,不再出現(xiàn)異常。

pin-diode-driver-bugfree

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