隨著科學(xué)技的發(fā)展，電子技術(shù)的應(yīng)用幾乎滲透到了人們生產(chǎn)生活的方方面面。晶體三極管作為電子技術(shù)中一個最為基本的常用器件，其原理對于學(xué)習(xí)電子技術(shù)的人自然應(yīng)該是一個重點。三極管原理的關(guān)鍵是要說明以下三點：
1、集電結(jié)為何會發(fā)生反偏導(dǎo)通并產(chǎn)生Ic，這看起來與二極管原理強調(diào)的PN結(jié)單向?qū)щ娦韵嗝堋?/p>
2、放大狀態(tài)下集電極電流Ic，為什么會只受控于電流Ib而與電壓無關(guān)；即：Ic與Ib之間為什么存在著一個固定的放大倍數(shù)關(guān)系。雖然基區(qū)較薄，但只要Ib為零，則Ic即為零。
3、飽和狀態(tài)下，Vc電位很弱的情況下，仍然會有反向大電流Ic的產(chǎn)生。
很多教科書對于這部分內(nèi)容，在講解方法上處理得并不適當(dāng)。特別是針對初、中級學(xué)者的普及性教科書，大多采用了回避的方法，只給出結(jié)論卻不講原因。即使專業(yè)性 很強的教科書，采用的講解方法大多也存在有很值得商榷的問題。這些問題集中表現(xiàn)在講解方法的切入角度不恰當(dāng)，使講解內(nèi)容前后矛盾，甚至造成講還不如不講的 效果，使初學(xué)者看后容易產(chǎn)生一頭霧水的感覺。
一、 傳統(tǒng)講法及問題：
傳統(tǒng)講法一般分三步，以NPN型為例（以下所有討論皆以NPN型硅管為例），如示意圖A。1.發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子；2.電子在基區(qū)的擴散與復(fù)合；3.集電區(qū)收集由基區(qū)擴散過來的電子。”（注1）
問題1：這種講解方法在第3步中，講解集電極電流Ic的形成原因時，不是著重地從載流子的性質(zhì)方面說明集電結(jié)的反偏導(dǎo)通，從而產(chǎn)生了Ic，而是不恰當(dāng)?shù)貍?cè)重 強調(diào)了Vc的高電位作用，同時又強調(diào)基區(qū)的薄。這種強調(diào)很容易使人產(chǎn)生誤解。以為只要Vc足夠大基區(qū)足夠薄，集電結(jié)就可以反向?qū)ǎ琍N結(jié)的單向?qū)щ娦跃?會失效。其實這正好與三極管的電流放大原理相矛盾。三極管的電流放大原理恰恰要求在放大狀態(tài)下Ic與Vc在數(shù)量上必須無關(guān)，Ic只能受控于Ib。
問題2：不能很好地說明三極管的飽和狀態(tài)。當(dāng)三極管工作在飽和區(qū)時，Vc的值很小甚至還會低于Vb，此時仍然出現(xiàn)了很大的反向飽和電流Ic，也就是說在Vc很小時，集電結(jié)仍然會出現(xiàn)反向?qū)ǖ默F(xiàn)象。這很明顯地與強調(diào)Vc的高電位作用相矛盾。
問題3：傳統(tǒng)講法第2步過于強調(diào)基區(qū)的薄，還容易給人造成這樣的誤解，以為是基區(qū)的足夠薄在支承三極管集電結(jié)的反向?qū)ǎ灰鶇^(qū)足夠薄，集電結(jié)就可能會失去PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦浴＿@顯然與人們利用三極管內(nèi)部兩個PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕瑏砼袛喙苣_名稱的經(jīng)驗相矛盾。既使基區(qū)很薄，人們判斷管腳名稱時，也并沒有 發(fā)現(xiàn)因為基區(qū)的薄而導(dǎo)致PN結(jié)單向?qū)щ娦允У那闆r。基區(qū)很薄，但兩個PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦匀匀煌旰脽o損，這才使得人們有了判斷三極管管腳名稱的辦法和根 據(jù)。
問題4：在第2步講解為什么Ic會受Ib控制，并且Ic與Ib之間為什么會存在著一個固定的比例關(guān)系時，不能形象加以說明。只是從工藝上強調(diào)基區(qū)的薄與摻雜度低，不能從根本上說明電流放大倍數(shù)為什么會保持不變。
問題5：割裂二極管與三極管在原理上的自然聯(lián)系，不能實現(xiàn)內(nèi)容上的自然過渡。甚至使人產(chǎn)生矛盾觀念，二極管原理強調(diào)PN結(jié)單向?qū)щ姺聪蚪刂梗龢O管原理則又要求PN結(jié)能夠反向?qū)āＭ瑫r，也不能體現(xiàn)晶體三極管與電子三極管之間在電流放大原理上的歷史聯(lián)系。
