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　　近年來，移動互聯網、家庭寬帶、云計算、視頻、VR等業務快速發展，2016年我國4G用戶已經超過5.5億，家庭寬帶用戶超過2.5億戶，此外市場廣闊的集團客戶專線帶寬需求不斷增長，為此運營商需要在光傳輸網上加快建設以滿足日益增加的帶寬需求。

　　光纖是通信產業繁榮的基石，所有通信業務的承載都離不開這一最基礎的物理媒介。業務的發展促進光傳輸網技術不斷變革，光傳輸容量和距離也在不斷刷新。目前超100G光傳輸系統受到傳輸距離的限制，新型光纖技術有望助力下一代光傳輸系統升級換代。

　　新型光纖有助于延長400G系統傳輸距離

　　光傳輸系統需要保持系統容量和傳輸距離之間的平衡，在長距離光傳輸系統中，普遍采用高階調制方式提高頻譜利用率，同時通過低損耗、新型放大器等方法來保持所需的傳輸距離。

　　目前400G光傳輸系統有多種實現方式，包括四載波PM-QPSK、雙載波PM-16QAM等。其中雙載波PM-16QAM為業界的主流實現方式，PM-16QAM調制格式系統和PM-QPSK調制格式系統相比，具有更高的頻譜效率。理論上，PM-16QAM的背靠背OSNR容限比PM-QPSK差約6.7dB，因此PM-16QAM的傳輸距離不到PM-QPSK的四分之一。一方面設備廠家正在研究更高階的FEC技術和新型放大技術（如拉曼放大器）提高系統OSNR，提升系統傳輸距離；另一方面，作為系統傳輸的物理層媒介，新型光纖也能提升系統OSNR，滿足400G系統長距傳輸的需求。

　　在400G系統無電中繼傳輸距離達到1000km的場景中，根據骨干網光纜現狀和400G PM-16QAM傳輸系統的性能，如果使用普通的EDFA放大器，則需要光纖的損耗達到0.14dB/km，目前的光纖技術達不到這樣的損耗。如果使用普通的EDFA放大器加上大有效面積光纖，則需要光纖的損耗達到0.153dB/km，目前的光纖技術也達不到這樣的損耗。如果使用拉曼放大器，則需要光纖的損耗達到0.17dB/km。如果使用拉曼放大器加上大有效面積光纖，光纖的損耗可以放寬到0.183dB/km。

　　在400G系統無電中繼傳輸距離為600km的場景中，如果使用普通的EDFA放大器，則需要光纖的損耗達到0.165dB/km，超低損光纖基本能夠滿足性能要求。如果使用普通的EDFA放大器加上大有效面積光纖，則需要光纖的損耗達到0.178dB/km。如果使用拉曼放大器，則需要光纖的損耗放寬到0.195dB/km。

　　為了評估100G和400G傳輸系統在新型光纖上的傳輸性能，早在2014年，中國移動便在國內率先開展了實驗室測試和現網試點。實驗室中，100G和400G信號分別在G.652、超低損光纖和大有效面積光纖上進行傳輸性能測試：超低損光纖熔接后的損耗為0.175dB/km，大有效面積光纖熔接后的損耗為0.165dB/km。

　　系統方面，100G系統采用PM-QPSK調制格式，400G系統采用雙載波的PM-16QAM調制格式。根據實驗結果結合理論分析，采用PM-QPSK調制格式的100G系統的背靠背OSNR容限約為10dB，能夠在G.652光纖上傳輸約3000km（5dB OSNR余量）；采用PM-16QAM調制格式的400G系統的背靠背OSNR容限約為18.5dB，能夠在G.652光纖上傳輸約450km（5dB OSNR余量），測試性能結果如表1所示。對于超低損光纖和大有效面積光纖，400G的傳輸距離可以被延長到約600km和900km（5dB OSNR余量）。因此超低損光纖和大有效面積光纖對于延長400G系統的傳輸距離幫助非常大。

　　表1 100G和400G傳輸性能比較

　　新型光纖技術發展現狀

　　1970年光纖損耗做到了20dB/km，到今天，光纖損耗可以突破到0.146dB/km。近期對新型光纖技術的關注主要集中在低損光纖LL(low loss)、超低損光纖ULL（ultra low loss）和大有效面積光纖LEAF（large effective area fiber）3類，如圖 所示。普通G.652光纖的纖芯材料為摻鍺二氧化硅，有效面積為85μm2，典型損耗為0.19～0.20dB/km。低損光纖的纖芯材料也是摻鍺二氧化硅，有效面積為85μm2，典型損耗為0.185dB/km。超低損光纖的纖芯材料為純二氧化硅，通過純二氧化硅來降低損耗，有效面積為85μm2，典型損耗為0.17dB/km。大有效面積光纖的有效面積為110～130μm2，典型損耗可以降低到0.16dB/km以下。

　　圖 新型光纖截面圖

　　低損耗G.652光纖（low loss fiber,LL）和普通G.652光纖區別不大，纖芯由摻鍺的二氧化硅制成。低損耗單模光纖不改變現有G.652D光纖的波導結構，其工藝主要是通過改善光纖內部的應力,從而優化瑞利散射來降低損耗。超低損耗、純硅芯單模光纖是通過改進光纖的折射率和制造工藝，在芯層中沒有摻雜鍺元素，減小了瑞利散射損耗，進一步降低了光纖損耗；大有效面積單模光纖在低損、超低損光纖的技術上，再通過增加光纖的模場直徑、調整折射率差來實現較大的有效面積，兼有低損耗并能抑制光纖非線性效應的優點。

　　摻鍺纖芯的標準單模光纖和純SiO2纖芯單模光纖在折射率分布上有明顯的區別。為了保持纖芯和包層直接的折射率差，需要降低包層的折射率，這主要通過在包層中摻雜氟等元素來實現。通過純硅纖芯的技術，石英光纖的衰減可以進一步降低到理論的最低值0.15dB/km。應用于陸上長途傳輸的超低損光纖，在降低衰減的同時還需要考慮和現有大量鋪設的G.652光纖兼容，采用與傳統G.652光纖一致的有效面積和模場直徑，給工程施工和客戶應用帶來便利。