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　　微處理器電路主要完成通信、數(shù)據(jù)處理、功能控制、人機(jī)交互等工作。主要由TMS320F2812、晶體振蕩器、電源控制、WATCHDOG等器件組成。其中晶體振蕩器、電源控制和WATCHDOG是TMS320F2812能夠正常運(yùn)行的保證；DSP芯片配合完成各種控制任務(wù)。

　　電源管理電路設(shè)計(jì)

　　TMS320F2812的工作電壓分為兩組，一組是供CPU內(nèi)核使用的1.8V的VCCCORE，設(shè)計(jì)上選用TPS76718電源管理芯片，將+5V的電壓變換為+1.8V；另一組是供I/O口使用的3.3V的VCCIO，選用TI公司的TPS76733電源管理芯片將+5V電壓變?yōu)?3.3V。電源管理電路圖如圖5-3所示。

　　在設(shè)計(jì)DSP芯片與其它外圍芯片的接口時(shí)，如果外圍芯片的工作電壓也是3.3V，那么就可以直接連接。但是現(xiàn)在許多外圍芯片的工作電壓都是5V，為了使3.3V芯片與這些5V供電芯片可靠接口，應(yīng)根據(jù)各種電平的轉(zhuǎn)換標(biāo)準(zhǔn)來(lái)設(shè)計(jì)。當(dāng)電平轉(zhuǎn)換標(biāo)準(zhǔn)不一致或者由于承受電壓的限制而不能直接相接時(shí)，需要在兩者之間增加一個(gè)緩沖器件。本論文選用TI公司的74ALVC164245作為緩沖器件來(lái)設(shè)計(jì)兩者的接口。它采用3.3V和5V雙電壓供電。除上述電路說(shuō)明外，其它連接主要有：對(duì)一些未使用的輸入引腳接10k或20k上拉電阻或下拉電阻使其電平狀態(tài)穩(wěn)定；對(duì)要進(jìn)行功能切換的引腳加跳線(xiàn)以備選擇。

　　外部擴(kuò)展存儲(chǔ)器電路設(shè)計(jì)

　　TMS320F2812為哈佛結(jié)構(gòu)的DSP，在邏輯上有4M×16位程序空間和4M×16位數(shù)據(jù)空間，但物理上已將程序空間和數(shù)據(jù)空間統(tǒng)一為一個(gè)4M×16位的存儲(chǔ)空間。外部存儲(chǔ)器接口包括：19位地址線(xiàn)，16位數(shù)據(jù)線(xiàn)、3個(gè)片選及讀/寫(xiě)控制線(xiàn)。這3個(gè)片選線(xiàn)映射到5個(gè)外部存儲(chǔ)區(qū)域，Zone0、1、2、6和7。這5個(gè)存儲(chǔ)區(qū)域可以分別設(shè)置為不同的等待周期。其中Zone 0存儲(chǔ)區(qū)域：0X002000-0X003FFF，8K×16位；Zone 1存儲(chǔ)區(qū)域：0X004000-0X005FFF，8K×16位；Zone 2存儲(chǔ)區(qū)域：0X080000-0X0FFFFF，512K×16位；Zone 6存儲(chǔ)區(qū)域：0X100000-0X17FFFF，512K×16位；　Zone 7存儲(chǔ)區(qū)域：0X3FC00-0X3FFFFF，16K×16位。

　　為滿(mǎn)足系統(tǒng)擴(kuò)展的需要，系統(tǒng)外擴(kuò)有8M的FLASH和8M的高速SRAM。外擴(kuò)FLASH芯片采用SST公司的SST39VF800A 512K×16多用途FLASH，可用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序。FLASH被映射到F2812的Zone 2存儲(chǔ)空間中，地址空間為0X080000-0X0FFFFF。SRAM芯片采用IS61LV51216高速、8M SRAM。SRAM映射到F2812的Zone 6存儲(chǔ)空間中，地址空間為0X100000-0X17FFFF。外擴(kuò)存儲(chǔ)器與TMS320F2812的XINTF接口電路如圖5-4所示。

　　具體的使用情況是：

　　片內(nèi)SARAM Ml存放掃描按鍵值范圍0x000400-0x00040A；片內(nèi)SARMA L0存放AD轉(zhuǎn)換后的采樣值范圍0x008000-0x0080FF；片內(nèi)FLASH存放程序代碼范圍0x3D8000-0x3F7FFF；片內(nèi)FLASH存放計(jì)算后的測(cè)量值范圍0x080100-0x0FFFFF。