光電效應概述
光照射到某些物質上，引起物質的電性質發生變化，也就是光能量轉換成電能。這類光致電變的現象被人們統稱為光電效應（Photoelectric effect）。這一現象是1887年赫茲在實驗研究麥克斯韋電磁理論時偶然發現的。1888年，德國物理學家霍爾瓦克斯（Wilhelm Hallwachs)證實是由于在放電間隙內出現荷電體的緣故。1899年，J·J·湯姆孫通過實驗證實該荷電體與陰極射線一樣是電子流。1899—1902年間，勒納德（P·Lenard）對光電效應進行了系統研究，并命名為光電效應。1905年，愛因斯坦在《關于光的產生和轉化的一個啟發性觀點》一文中，用光量子理論對光電效應進行了全面的解釋。1916年，美國科學家密立根通過精密的定量實驗證明了愛因斯坦的理論解釋，從而也證明了光量子理論。
內光電效應
當光照在物體上，使物體的電導率發生變化，或產生光生電動勢的現象。分為光電導效應和光生伏特效應（光伏效應）。
1 光電導效應
在光線作用下，電子吸收光子能量從鍵合狀態過度到自由狀態，而引起材料電導率的變化。
當光照射到光電導體上時，若這個光電導體為本征半導體材料，且光輻射能量又足夠強，光電材料價帶上的電子將被激發到導帶上去，使光導體的電導率變大。
基于這種效應的光電器件有光敏電阻。
2 光生伏特效應
在光作用下能使物體產生一定方向電動勢的現象?；谠撔钠骷泄怆姵睾凸饷?a title="中國二極管網" href="http://www.96woool.com/product/list.php?catid=812" target="_blank">
二極管、三極管。
①勢壘效應（結光電效應）
光照射PN結時，若h?≧Eg，使價帶中的電子躍遷到導帶，而產生電子空穴對，在阻擋層內電場的作用下，電子偏向N區外側，空穴偏向P區外側，使P區帶正電，N區帶負電，形成光生電動勢。
②側向光電效應（丹培效應）
當半導體光電器件受光照不均勻時，光照部分產生電子空穴對，載流子濃度比未受光照部分的大，出現了載流子濃度梯度，引起載流子擴散，如果電子比空穴擴散得快，導致光照部分帶正電，未照部分帶負電，從而產生電動勢，即為側向光電效應。
③光電磁效應
半導體受強光照射并在光照垂直方向外加磁場時，垂直于光和磁場的半導體兩端面之間產生電勢的現象稱為光電磁效應，可視之為光擴散電流的霍爾效應。
④貝克勒耳效應
是指液體中的光生伏特效應。當光照射浸在電解液中的兩個同樣電極中的一個電極時，在兩個電極間產生電勢的現象稱為貝克勒耳效應。感光電池的工作原理基于此效應。
3 光子牽引效應
當光子與半導體中的自由載流子作用時，光子把動量傳遞給自由載流子，自由載流子將順著光線的傳播方向做相對于晶格的運動。結果，在開路的情況下，半導體樣品將產生電場，它阻止載流子的運動。這個現象被稱為光子牽引效應。
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