從1958年美國通用電氣(GE)公司研制出世界上第一個產(chǎn)業(yè)用普通晶閘管開始，電能的變換和控制從旋轉(zhuǎn)的變流機組和靜止的離子變流器進進由電力電子器件構(gòu)成的變流器時代，這標志著電力電子技術(shù)的誕生。到了70年代，晶閘管開始形成由低壓小電流到高壓大電流的系列產(chǎn)品。同時，非對稱晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管等晶閘管派生器件相繼問世，廣泛應(yīng)用于各種變流裝置。由于它們具有體積小、重量輕、功耗小、效率高、響應(yīng)快等優(yōu)點，其研制及應(yīng)用得到了飛速發(fā)展。
電力電子器件種類
由于普通晶閘管不能自關(guān)斷，屬于半控型器件，因而被稱作第一代電力電子器件。在實際需要的推動下，隨著理論研究和工藝水平的不斷進步，電力電子器件在容量和類型等方面得到了很大發(fā)展，先后出現(xiàn)了GTR、GTO、功率MOSET等自關(guān)斷、全控型器件，被稱為第二代電力電子器件。近年來，電力電子器件正朝著復(fù)合化、模塊化及功率集成的方向發(fā)展，如IGPT、MCT、HVIC等就是這種發(fā)展的產(chǎn)物。
1，電力整流管
整流管產(chǎn)生于本世紀40年代，是電力電子器件中結(jié)構(gòu)最簡單、使用最廣泛的一種器件。目前已形成普通整流管、快恢復(fù)整流管和肖特基整流管等三種主要類型。其中普通整流管的特點是：漏電流小、通態(tài)壓降較高(10～18V)、反向恢復(fù)時間較長(幾十微秒)、可獲得很高的電壓和電流定額。多用于牽引、充電、電鍍等對轉(zhuǎn)換速度要求不高的裝置中。較快的反向恢復(fù)時間(幾百納秒至幾微秒)是快恢復(fù)整流管的明顯特點，但是它的通態(tài)壓降卻很高(16～40V)。它主要用于斬波、逆變等電路中充當(dāng)旁路二極管或阻塞二極管。肖特基整流管兼有快的反向恢復(fù)時間(幾乎為零)和低的通態(tài)壓降(0.3～0.6V)的優(yōu)點，不過其漏電流較大、耐壓能力低，常用于高頻低壓儀表和開關(guān)電源。目前的研制水平為:普通整流管(8000V/5000A/400Hz);快恢復(fù)整流管(6000V/1200A/1000Hz);肖特基整流管(1000V/100A/200kHz)。
電力整流管對改善各種電力電子電路的性能、降低電路損耗和進步電源使用效率等方面都具有非常重要的作用。隨著各種高性能電力電子器件的出現(xiàn)，開發(fā)具有良好高頻性能的電力整流管顯得非常必要。目前，人們已通過新奇結(jié)構(gòu)的設(shè)計和大規(guī)模集成電路制作工藝的運用，研制出集PIN整流管和肖特基整流管的優(yōu)點于一體的具有MPS、SPEED和SSD等結(jié)構(gòu)的新型高壓快恢復(fù)整流管。它們的通態(tài)壓降為1V左右，反向恢復(fù)時間為PIN整流管的1/2，反向恢復(fù)峰值電流為PIN整流管的1/3。
2，晶閘管及其派生器件
晶閘管誕生后，其結(jié)構(gòu)的改進和工藝的改革，為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件。1964年，雙向晶閘管在GE公司開發(fā)成功，應(yīng)用于調(diào)光和馬達控制;1965年，小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn)，為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ);60年代后期，大功率逆變晶閘管問世，成為當(dāng)時逆變電路的基本元件;1974年，逆導(dǎo)晶閘管和非對稱晶閘管研制完成。
普通晶閘管廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速、調(diào)光、調(diào)溫等低頻(400Hz以下)領(lǐng)域，運用由它所構(gòu)成的電路對電網(wǎng)進行控制和變換是一種簡便而經(jīng)濟的辦法。不過，這種裝置的運行會產(chǎn)生波形畸變和降低功率因數(shù)、影響電網(wǎng)的質(zhì)量。目前水平為12kV/1kA和6500V/4000A。
雙向晶閘管可視為一對反并聯(lián)的普通晶閘管的集成，常用于交流調(diào)壓和調(diào)功電路中。正、負脈沖都可觸發(fā)導(dǎo)通，因而其控制電路比較簡單。其缺點是換向能力差、觸發(fā)靈敏度低、關(guān)斷時間較長，其水平已超過2000V/500A。
光控晶閘管是通過光信號控制晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的器件，它具有很強的抗干擾能力、良好的高壓盡緣性能和較高的瞬時過電壓承受能力，因而被應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)、靜止無功功率補償(SVC)等領(lǐng)域。其研制水平大約為8000V/3600A。
