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產(chǎn)品分類

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類型分類:
科普知識(shí)
數(shù)據(jù)分類:
數(shù)字式溫控器

FLASH K9F1G08U0M在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

發(fā)布日期:2022-04-17 點(diǎn)擊率:30

  NAND Flash是采用NAND結(jié)構(gòu)技術(shù)的非易失存儲(chǔ)器,具有ROM存儲(chǔ)器的特點(diǎn),存儲(chǔ)在該芯片中的數(shù)據(jù)可在斷電情況下維持10年不丟失,而芯片的引腳與訪問又具有類似于RAM的特點(diǎn)。NAND FLASH 存儲(chǔ)器將數(shù)據(jù)線與地址線復(fù)用為8條線,另外還分別提供了命令控制信號(hào)線,因此,NAND FLASH 存儲(chǔ)器不會(huì)因?yàn)榇鎯?chǔ)容量的增加而增加引腳數(shù)目。從而極大方便了系統(tǒng)設(shè)計(jì)和產(chǎn)品升級。

1 元件介紹


1.1 MSP430芯片


  MSP430系列單片機(jī)是TI公司推出的16位RISC系列單片機(jī),該系列是一組超低功耗微控制器,供電電壓范圍為1.8V—3.6V??紤]到本系統(tǒng)有微體積、低功耗的要求,在此選用MSP430F149,它具有60KB Flash Memory、2kb RAM、有8個(gè)通道采樣率為200K的12位A/D轉(zhuǎn)換器、硬件乘法器、2個(gè)帶有大量捕獲/比較寄存器的16位定時(shí)器、看門狗等,為系統(tǒng)的進(jìn)一步開發(fā)擴(kuò)展提供了良好的基礎(chǔ),特別適用于較復(fù)雜的系統(tǒng)開發(fā)。


1.2 NAND Flash


  NAND結(jié)構(gòu)Flash是Sumsung公司隆重推出并著力開發(fā)的新一代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件,在此選用芯片K9F1G08U0M,電源電壓2.7V—3.6V,與MSP430F149一致,功耗低,容量可達(dá)128M×8Bit,按頁進(jìn)行讀寫,按塊擦除,通過I/O口分時(shí)復(fù)用作為命令引腳/地址引腳/數(shù)據(jù)引腳。有很高的可靠性。


2 硬件設(shè)計(jì)


  本系統(tǒng)中,K9F1G08U0M的數(shù)據(jù)輸入輸出口與單片機(jī)的P6端口相連。片選信號(hào)與單片機(jī)的P2.4相連, CLE(命令鎖存控制端)、ALE(地址鎖存控制端)、WE(寫操作控制端)、RE(讀操作控制端)分別通過控制單片機(jī)P3.3、P2.3、P2.6、P2.5引腳的電平,決定對FLASH


  進(jìn)行控制字操作、地址操作、寫操作還是讀操作。在此不使用寫保護(hù)功能,所以WP接高電平。FLASH與單片機(jī)的部分連接組成電路如圖1所示。



圖1  MSP430F149與K9F1G08U0M的連接



3 軟件設(shè)計(jì)


  MSP430的開發(fā)軟件較多,本文采用IAR公司的集成開發(fā)環(huán)境—IAR Embedded workbench 嵌入式工作臺(tái),利用C430(MSP430系列的C語言)編寫調(diào)試。單片機(jī)對FLASH的操作主要有寫、讀、擦除。


3.1 寫操作


  向FLASH內(nèi)部寫數(shù)據(jù)是基于頁的,K9F1G08U0M的命令字、地址和數(shù)據(jù)都是通過并行口線I/O0—I/O7在控制信號(hào)的作用下分時(shí)操作。地址A0—A10,A11—A26通過I/O0—I/O7分4次送入。同時(shí)K9F1G08U0M芯片提供了一根狀態(tài)指示信號(hào)線 ,當(dāng)該信號(hào)為低電平時(shí),表示FLASH可能正處于擦除、編程或讀操作的忙狀態(tài);而當(dāng)其為高電平時(shí),則表示為準(zhǔn)備好狀態(tài),此時(shí)可以對芯片進(jìn)行各種操作。本系統(tǒng)須寫入126M數(shù)據(jù)寫操作流程圖如圖2。


3.2 讀操作


  讀操作有串行頁讀、連續(xù)行讀、隨機(jī)讀3種類型。在此選用串行頁讀取。首先將讀操作控制字00h輸入,再寫入地址,寫入控制字30h,待 信號(hào)變高后,將本頁數(shù)據(jù)依次讀出。隨后再改變頁地址讀出其它頁內(nèi)數(shù)據(jù)。操作流程圖如圖3。


   


圖2 寫操作流程圖          


圖3  讀FLASH數(shù)據(jù)程序流程圖


3.3 擦除操作


  任何FLASH器件的寫入操作都必須在空的或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行,因此在進(jìn)行下一次存儲(chǔ)數(shù)據(jù)之前都必須對FLASH進(jìn)行擦除操作。


  擦除操作基于塊,K9F1G08U0M內(nèi)有1024塊,塊地址的輸入需要兩個(gè)周期,塊操作的地址只有A18—A27有效,A12—A17備忽略。在地址后被送入的塊擦除命令(D0h)啟動(dòng)塊擦除操作,待 信號(hào)變高后,送入命令字70h,讀出I/O0的值來判斷數(shù)據(jù)擦除是否成功。圖4為塊擦除流程圖。

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