Infineon IGB50N65S 是 50 A IGBT ，帶反并聯二極管，無需柵極夾緊組件。在這種無尾線電流的軟電流下降特性中，它是出色的，用于并聯。
25°C 時具有 1.35 V 的極低 VCEsat
最大接點溫度 Tvj 175°C
四倍額定電流
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 80 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 650 V |
| 最大柵極發射極電壓 | 30V |
| 晶體管數 | 1 |
| 最大功率耗散 | 270 W |
| 配置 | 單 |
| 封裝類型 | PG-TO263 |
| 通道類型 | N |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
