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onsemi NXH450B100H4Q2F2PG IGBT

訂 貨 號(hào)：NXH450B100H4Q2F2PG      品牌：Onsemi/安森美

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場(chǎng) 價(jià)：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
電 話：
手 機(jī)：
地 址：
通 訊：    
主營(yíng)產(chǎn)品：
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onsemi NXH450B100H4Q2F2PG IGBT
產(chǎn)品詳細(xì)信息

ON Semiconductor Q2BOOST 模塊是 Si 或 SiC 混合三通道對(duì)稱升壓模塊。每個(gè)通道包含兩個(gè) 1000 V ， 150 A IGBT ，兩個(gè) 1200 V ， 30 A SiC 二極管和兩個(gè) 1600 V ， 30 A 旁路二極管。該模塊包含一個(gè) NTC 熱敏電阻。

硅或 SiC 混合技術(shù)可最大程度提高功率密度
低切換損耗可減少系統(tǒng)功耗
低電感布局
壓配和焊接引腳選項(xiàng)
此設(shè)備無鉛，無鹵，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 101 A
最大集電極-發(fā)射極電壓 1000 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
晶體管數(shù) 2
最大功率耗散 79 W
封裝類型 Q2BOOST - 箱 180BG (無鉛和無鹵化物壓配引腳)
暫無
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