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訂 貨 號:ISL9V3040P3 品牌:Onsemi/安森美
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三極管功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 最大連續(xù)集電極電流 | 21 A |
| 最大集電極-發(fā)射極電壓 | 450 V |
| 最大柵極發(fā)射極電壓 | ±14V |
| 最大功率耗散 | 150 W |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 通道類型 | N |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 尺寸 | 10.67 x 4.7 x 16.3mm |