Infineon F3L11MR12W2M1 是碳化硅 MOSFET 模塊。此模塊在能量存儲系統中每個模塊具有 75 kW 功率以及短且干凈的換向回路。該模塊具有高度自由度，用于變頻器設計。
直流鏈路電壓增加
高電流密度
降低開關損耗
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續漏極電流 | 100 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | 托盤 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大柵閾值電壓 | 5.15V |
