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Infineon AIMW120R045M1XKSA1 專門設(shè)計(jì)用于滿足汽車行業(yè)在可靠性,質(zhì)量和性能方面的高要求。使用 CoolSiC ? MOSFET 的轉(zhuǎn)換器的切換頻率的增加可顯著降低磁性組件的體積和重量,降低高達(dá) 25% ,從而顯著提高應(yīng)用本身的成本。性能的提高滿足了電動汽車更高效率要求方面的新法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。
革命性的半導(dǎo)體材料 - 碳化硅 ? 極低的切換損耗
無閾值接通狀態(tài)特性 ? IGBT 兼容驅(qū)動電壓 (15 V 用于開啟)
0V 關(guān)閉柵極電壓
基準(zhǔn)柵極閾值電壓, VGS (th) = 4.5 V
完全可控制 dv/dt
換向堅(jiān)固的主體二極管,可隨時用于同步整流溫度獨(dú)立關(guān)閉開關(guān)損耗
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 52 A |
最大漏源電壓 | 1200 V |
封裝類型 | PG-TO247-3-41 |
安裝類型 | 通孔 |