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訂 貨 號(hào):IPB033N10N5LFATMA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
Infineon 是一種革命性的方法、可避免通態(tài)電阻( r ds ( on ))與線性模式功能之間的取舍、即在增強(qiáng)模式 mosfet 的飽和區(qū)域內(nèi)運(yùn)行。它提供最先進(jìn)的溝道 mosfet r ds ( on )以及經(jīng)典平面 mosfet 的寬安全工作區(qū)域。
                        
                            低 r ds ( on )和寬安全工作區(qū)域的組合 ( soa )
高最大脈沖電流
高連續(xù)脈沖電流
堅(jiān)固的線性模式操作
低傳導(dǎo)損耗
更高的浪涌電流可實(shí)現(xiàn)更快的啟動(dòng)和更短的啟動(dòng) 時(shí)間 
                        
                    
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 170 A | 
| 最大漏源電壓 | 100 V | 
| 封裝類型 | Pg- TO263 | 
| 安裝類型 | 表面貼裝 | 
| 引腳數(shù)目 | 3 | 
| 最大漏源電阻值 | 0.0033 o | 
| 通道模式 | 增強(qiáng) | 
| 最大柵閾值電壓 | 4.1V | 
| 每片芯片元件數(shù)目 | 2 |