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Infineon IPB033N10N5LFATMA1 MOSFET

訂 貨 號：IPB033N10N5LFATMA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
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Infineon IPB033N10N5LFATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

Infineon 是一種革命性的方法、可避免通態(tài)電阻（ r ds （ on ））與線性模式功能之間的取舍、即在增強模式 mosfet 的飽和區(qū)域內(nèi)運行。它提供最先進的溝道 mosfet r ds （ on ）以及經(jīng)典平面 mosfet 的寬安全工作區(qū)域。

低 r ds （ on ）和寬安全工作區(qū)域的組合 （ soa ）
高最大脈沖電流
高連續(xù)脈沖電流
堅固的線性模式操作
低傳導損耗
更高的浪涌電流可實現(xiàn)更快的啟動和更短的啟動 時間


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 170 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 Pg- TO263
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 0.0033 o
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4.1V
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無
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