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訂 貨 號(hào):SQJ504EP-T1_GE3 品牌:Vishay/威世
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
TrenchFET? power MOSFET
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 30(N 通道)A、30(P 通道)A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | SO-8 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 30 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.5V |
| 最大功率耗散 | 34 w 、 34 w |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 長(zhǎng)度 | 5.99mm |
| 寬度 | 5mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 18(N 通道)nC @ 10 V、56(P 通道)nC @ 10 V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
| 晶體管材料 | Si |
| 最高工作溫度 | +175 °C |