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ON Semiconductor UniFET II 高電壓 MOSFET 基于 Advanced 平面磁條和 DMOS 技術(shù)。此 Advanced MOSFET 在平面 MOSFET 中具有最小的通態(tài)電阻,還提供卓越的切換性能和更高的雪崩能量強度。它適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用,如功率因數(shù)校正,平板顯示屏,電視電源, ATX 和電子燈鎮(zhèn)流器。
超低柵極電荷
通過 100% 雪崩測試
無鉛?Ω
無鹵素
符合 RoHS
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 2 A |
| 最大漏源電壓 | 500 V |
| 封裝類型 | SOT-223 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 3. Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 5.5V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |