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英飛凌 IRL6342PBF MOSFET

訂 貨 號：IRL6342PBF      品牌：IR/國際整流器

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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英飛凌 IRL6342PBF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon

Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備，采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)問題。 在整個范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 9.9 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 SOIC
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 19 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 1.1V
最小柵閾值電壓 0.5V
最大功率耗散 2.5 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -12 V、+12 V
長度 5mm
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 4mm
典型柵極電荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
暫無
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