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Infineon 的 OptiMOS PD 功率 MOSFET 100 V 專為 USB-PD 和適配器應用而設計。它的 PQFN 3.3x3.3 封裝提供快速上升和優(yōu)化的交付時間。用于功率輸送的 OptiMOS 低壓 MOSFET 使設計能夠減少部件,從而降低 BOM 成本。OptiMOS PD 采用緊湊輕便的封裝,提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。
邏輯級別可用性
極佳的熱行為
通過 100% 雪崩測試
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 58 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | PQFN 3.3 x 3.3 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.0115 O , 0.0155 O |
最大柵閾值電壓 | 2.3V |
晶體管材料 | Si |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |