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Infineon MOSFET 專為汽車應用設計,這種 HEXFET? Power MOSFET 的蜂窩狀平面設計利用最新的處理技術來實現(xiàn)每硅面積的低導通電阻。
                        
                            先進的平面技術
低導通電阻
動態(tài) dv/dt 額定值
175°C 工作溫度 
                        
                    
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類型 | P | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 31 A | 
| 最大漏源電壓 | 55 V | 
| 封裝類型 | DPAK | 
| 安裝類型 | 表面貼裝 |