Infineon OptiMOS 功率 MOSFET 通過在待機和完全操作中實現最高功率密度和能效,提供基準解決方案。它提供 0.55 m Ω 的漏極源通態電阻。
                        
                            最高效
SuperSO8 封裝中具有最高功率密度
降低整體系統成本
符合 RoHS 
無鹵素 
                        
                    
| 屬性 | 數值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續漏極電流 | 433 A | 
| 最大漏源電壓 | 30 V | 
| 封裝類型 | TDSON | 
| 安裝類型 | 表面貼裝 | 
| 引腳數目 | 8 | 
| 最大漏源電阻值 | 0.0055 Ω | 
| 最大柵閾值電壓 | 1.5V | 
| 每片芯片元件數目 | 1 |