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為了提高效率、功率密度和成本效益、開發(fā)了英飛凌公司的最佳 mos n 通道功率式功率半導(dǎo)體器件。專為高性能應(yīng)用而設(shè)計、并針對高切換頻率進行了優(yōu)化、因此、這些產(chǎn)品具有業(yè)內(nèi)最佳的品質(zhì)?,F(xiàn)在、作為強大的 irfet 的補充、該產(chǎn)品組合提供了一個真正強大的組合。得益于強大的 irfet 功率極高的器件和出色的性價比以及杰出的最佳的技術(shù)。兩個產(chǎn)品系列都能滿足高品質(zhì)標準和性能要求。該接合產(chǎn)品組合涵蓋 12V 至 300V 的電壓、可滿足從低到高切換頻率的各種需求、如開關(guān)電源、電池供電應(yīng)用、電動機控制和驅(qū)動器、變頻器和計算。
寬 soa 的平面單元結(jié)構(gòu)
針對分銷合作伙伴提供的最廣泛可用性進行了優(yōu)化
產(chǎn)品資格符合 dec 標準
硅經(jīng)優(yōu)化用于切換低于 <100KHz 的應(yīng)用
工業(yè)標準表面安裝電源封裝
能夠進行波焊
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 5.4 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | SO |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.039 o |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 20V |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |