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Infineon IRF6620TRPBF MOSFET

訂 貨 號(hào)：IRF6620TRPBF      品牌：IR/國(guó)際整流器

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場(chǎng) 價(jià)：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
電 話：
手 機(jī)：
地 址：
通 訊：    
主營(yíng)產(chǎn)品：
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Infineon IRF6620TRPBF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

hex場(chǎng) ? 功率 mosfet 硅技術(shù)的英飛凌設(shè)計(jì)采用先進(jìn)的 direct 東帝汶技術(shù)封裝，在一個(gè)封裝尺寸僅為 so-8 和 0.7 mm 的封裝中實(shí)現(xiàn)最低的通態(tài)電阻 Advanced Infineon 封裝尺寸。當(dāng)在制造方法和工藝方面遵循應(yīng)用說(shuō)明 a-1035 時(shí)、 direct場(chǎng) 封裝與電源應(yīng)用、印刷電路板裝配設(shè)備和汽相、紅外或?qū)α骱附蛹夹g(shù)中使用的現(xiàn)有布局幾何結(jié)構(gòu)兼容。

100% rg 測(cè)試低傳導(dǎo)和切換損耗
超低封裝電感、特別適用于 cpu 內(nèi)核直流 - 直流轉(zhuǎn)換器


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 150 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 Direct場(chǎng) 等軸測(cè)
安裝類型 表面貼裝
最大漏源電阻值 0.0036. Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.45V
晶體管材料 硅
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無(wú)
正在載入評(píng)論詳細(xì)...