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30 V,N 溝道 Trench MOSFET,N 溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝,采用 Trench MOSFET 技術(shù)。
                        
                            邏輯電平兼容
超快切換
Trench MOSFET 技術(shù)
靜電放電 (ESD) 保護(hù):> 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
繼電器驅(qū)動器
高速線路驅(qū)動器
低側(cè)負(fù)載開關(guān)
開關(guān)電路 
                        
                    
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 3 A | 
| 最大漏源電壓 | 30 V | 
| 封裝類型 | SOT23, TO-236AB | 
| 安裝類型 | 表面貼裝 | 
| 引腳數(shù)目 | 3 | 
| 最大漏源電阻值 | 118 mΩ | 
| 通道模式 | 增強(qiáng) | 
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V | 
| 最小柵閾值電壓 | 1V | 
| 最大功率耗散 | 4.5 W | 
| 晶體管配置 | 單 | 
| 最大柵源電壓 | 20 V | 
| 每片芯片元件數(shù)目 | 3 | 
| 寬度 | 1.4mm | 
| 典型柵極電荷@Vgs | 3.6 nc @ 10 v | 
| 長度 | 3mm | 
| 最高工作溫度 | +150 °C |