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Infineon BSC014N04LSATMA1 MOSFET

訂 貨 號：BSC014N04LSATMA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
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Infineon BSC014N04LSATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

新的 40V 和 60V 產(chǎn)品系列，不僅具有業(yè)內(nèi)最低的 R DS(on)，還具有完美的切換行為，適用于快速切換應(yīng)用。新的 40V 和 60V 產(chǎn)品系列，通過采用高級薄芯片技術(shù)，使 R DS(on) 和品質(zhì)因數(shù) (R DS(on) x Q g) 較可替代器件分別下降 15% 和 31%，不僅具有業(yè)內(nèi)最低的 R DS(on)，還具有完美的切換行為，適用于快速切換應(yīng)用。通過采用高級薄芯片技術(shù)，使 R DS(on) 和品質(zhì)因數(shù) (R DS(on) x Q g) 較可替代器件分別下降 15% 和 31%

經(jīng)優(yōu)化可用于同步整流
R DS(on) 較可替代設(shè)備減少 15%
FOM 較類似器件提高 31%
集成式肖特基二極管
無鹵
優(yōu)點：
最高系統(tǒng)效率
所需并聯(lián)減少
功率密度增加
系統(tǒng)成本降低
非常低的電壓過沖
目標(biāo)應(yīng)用：
同步整流
太陽能微型變頻器
隔離直流-直流轉(zhuǎn)換器
電動機(jī)控制
Or-ing 開關(guān)


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 100 A
最大漏源電壓 40 V
封裝類型 TDSON
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 1.9 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 1.2V
最大功率耗散 96 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 20 V
長度 5.15mm
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 61 nC @ 10 V
寬度 6.15mm
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無
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