Infineon 62 mΩ 1200 v 、 6 μ m 半橋模塊，帶有 cool sic ? mosfet 。
高電流密度
低切換損耗
卓越的柵極氧化物可靠性
高穩定性、防潮
堅固的集成主體二極管、從而實現最佳熱條件
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 250 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | Ag- 62mm |
| 安裝類型 | 螺絲安裝 |
| 最大漏源電阻值 | 5.81 米Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.45V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
