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在異步和同步系統(tǒng)之間提供堅固的接口連接。觸發(fā)器是數(shù)碼電子設(shè)備的基本存儲元件。觸發(fā)器只允許輸出在觸發(fā)邊沿轉(zhuǎn)換時變化,可在異步和同步系統(tǒng)之間提供堅固的接口。有正負(fù)沿觸發(fā)選項可供選擇,設(shè)計靈活性增強(qiáng)。
N 通道增強(qiáng)模式場效應(yīng)晶體管 (FET),采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝,使用 Trench MOSFET 技術(shù)。
                        
                            Trench MOSFET 技術(shù)
低閾值電壓
增強(qiáng)型功耗能力為 1200 mW
靜電放電 (ESD) 保護(hù):2 kV HBM
目標(biāo)應(yīng)用
繼電器驅(qū)動器
高速線路驅(qū)動器
低側(cè)負(fù)載開關(guān)
開關(guān)電路 
                        
                    
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 7.2 A | 
| 最大漏源電壓 | 30 V | 
| 封裝類型 | TO-236AB | 
| 安裝類型 | 表面貼裝 | 
| 引腳數(shù)目 | 3 | 
| 最大漏源電阻值 | 38 mΩ | 
| 通道模式 | 增強(qiáng) | 
| 最大柵閾值電壓 | 0.9V | 
| 最小柵閾值電壓 | 0.4V | 
| 最大功率耗散 | 6.94 W | 
| 晶體管配置 | 單 | 
| 最大柵源電壓 | 12 V | 
| 典型柵極電荷@Vgs | 12.4 nC @ 4.5 V | 
| 長度 | 3mm | 
| 最高工作溫度 | +150 °C | 
| 寬度 | 1.4mm | 
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |