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Infineon IPN60R600P7SATMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPN60R600P7SATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場 價:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
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Infineon IPN60R600P7SATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

Infineon P7 超結(jié)( sj ) mosfet 設(shè)計出色的性能和易用性、可改善外形和價格競爭力、從而應(yīng)對低功率開關(guān)電源市場的典型挑戰(zhàn)。這款采用了此種方法的、具有成本效益的一對一嵌入式 dak 替代產(chǎn)品、還可在某些設(shè)計中減少印跡。它可放置在典型的 dak 印跡上、并顯示可比較的熱性能。這種組合使 P7 它在型式、采用型、為其目標應(yīng)用提供了完美的安裝。700V 和 800V cool mos P7 經(jīng)優(yōu)化可用于回飛拓撲。600V cool mos P7 sj mosfet 適用于硬切換拓撲( fly back 、 pfc 和 llc )和開關(guān)拓撲。

易于使用、通過低振鈴趨勢進行快速設(shè)計 和用法
?跨 pfc 和 pwm 級
由于低切換和傳導(dǎo)、簡化了熱管理
?損失
通過使用產(chǎn)品 swith 實現(xiàn)更高的功率密度解決方案
?>采用 2kVESD 、體積更小、制造質(zhì)量更高
?保護
適用于各種應(yīng)用和功率范圍


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 16 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 PG-SOT223
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 0.6 o
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
每片芯片元件數(shù)目 4
暫無
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