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the Infineon coolmos 是一項革命性的高電壓功率功率功率半導(dǎo)體技術(shù)、它根據(jù)超接線( sj )原理設(shè)計、由 Infineon 技術(shù)開創(chuàng)。coolmos P6 系列將領(lǐng)先的 sj mosfet 供應(yīng)商的經(jīng)驗與高級創(chuàng)新相結(jié)合。提供的器件具有快速切換 sj mosfet 的所有優(yōu)點、同時不會降低易用性。極低的切換和傳導(dǎo)損耗使切換應(yīng)用更高效、更緊湊、更輕、更涼爽。
mosfet dv/dt 穩(wěn)定增加
易于使用 / 驅(qū)動
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 19.2 a |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | Pg/vson -4 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 5 |
最大漏源電阻值 | 0.21 o |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4.5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |