ON Semiconductor 工業功率 MOSFET 采用 8x8mm 扁平引線封裝，設計用于緊湊型高效設計，包括高熱性能。可潤側翼，可增強光學檢驗。它可用于反向器電池保護，開關電源和電源開關。
緊湊設計
有效減少傳導損耗
有效減少驅動器損耗
增強的光學檢驗
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 165 A |
| 最大漏源電壓 | 150 V |
| 封裝類型 | DFNW8. |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.00445 Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
