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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi)：

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Infineon IMZA120R040M1HXKSA1 MOSFET

訂 貨 號(hào)：IMZA120R040M1HXKSA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場(chǎng) 價(jià)：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
電 話(huà)：
手 機(jī)：
地 址：
通 訊：    
主營(yíng)產(chǎn)品：
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Infineon IMZA120R040M1HXKSA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon CoolSiC 1200 V、40 mΩ SiC MOSFET 采用 TO247-4 封裝，采用最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝，是性能與可靠性的良好結(jié)合，包括在 1200 V 開(kāi)關(guān)中看到的最低柵極電荷和設(shè)備電容水平，內(nèi)部換向證明體二極管無(wú)反向恢復(fù)損耗。CoolSiC MOSFET 是硬開(kāi)關(guān)和諧振開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的理想選擇，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器或 DC-AC 逆變器。

VDSS - T - 25°C 時(shí)為 1200 V
IDCC - T - 25°C 時(shí)為 55 A
RDS（on） - VGS - 18 V、T - 25°C 時(shí)為 39 MΩ
非常低的切換損耗
短路耐受時(shí)間 3 微秒
基準(zhǔn)門(mén)限電壓，VGS（th） - 4.2 V
對(duì)寄生性開(kāi)啟的穩(wěn)健性，可應(yīng)用 0V 的關(guān)斷門(mén)電壓
用于硬換向的穩(wěn)健體二極管
XT 互連技術(shù)實(shí)現(xiàn)了同類(lèi)最佳的熱性能


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 55 A
最大漏源電壓 1200 V
封裝類(lèi)型 TO-247
安裝類(lèi)型 通孔
暫無(wú)
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