Infineon 30V 單 n 通道 hex場 功率 mosfet 采用 d-pak 封裝。
在 4.5 伏 vgs 下、極低 rds （接通）
超低柵極阻抗
完全雪崩電壓特征
和電流
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 86 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | DPAK (TO-252) |
| 安裝類型 | 表面安裝器件 |
| 最大漏源電阻值 | 8.2 mo |
| 最大柵閾值電壓 | 2.25V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
