當(dāng)前位置: 首頁(yè) > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無(wú)源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較
訂 貨 號(hào):IPB65R065C7ATMA2 品牌:英飛凌_Infineon
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
the Infineon C7 超結(jié) mosfet 系列是革命性的技術(shù)進(jìn)步、可提供世界上最低的 rds (接通) / 封裝、并且由于其低切換損耗、在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)效率得到了提高。
650V 電壓
革命性杰出的 r ds ( on ) /
減少輸出電容( eoss )中存儲(chǔ)的能量
降低柵極電荷 qg
通過(guò)使用更小的封裝或減少使用、節(jié)省空間 零件
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 145 A |
最大漏源電壓 | 700 V |
封裝類型 | Pg- TO263 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.065 o |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4V |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |