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Infineon OptiMOS 系列雙 N 溝道 MOSFET 的漏極至源電壓為 60 V它具有較大源引線框架連接的優(yōu)點(diǎn),用于電線粘結(jié), 200um 粘結(jié)線的電流高達(dá) 20A。
符合汽車 AEC Q101 規(guī)格
? MSL1 高達(dá) 260°C Peak 回流
工作溫度? 175°C
?綠色封裝
?超低 RDS
?經(jīng)過 100% 雪崩測試
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 20 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | TDSON |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.026 Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 2.2V |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
晶體管材料 | Si |