Infineon 為電動機控制應用提供全面的強建 N 通道和 P 通道 MOSFET 設備組合。
同步整流 MOSFET 設備的組合，適用于交流-直流電源，支持客戶對更高功率密度、更小尺寸、更便于攜帶和更靈活的系統的需求。
Infineon IRFR4104 是 40V 單 N 溝道 HEXFET 功率 MOSFET ，采用 D-Pak 封裝。此 HEXFET 功率 MOSFET 利用最新處理技術實現每硅區域極低接通電阻。
Advanced 工藝技術
超低接通電阻
175°C 工作溫度
快速切換
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 119 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | DPAK (TO-252) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 6 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 140 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 59 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 晶體管材料 | Si |
| 長度 | 6.73mm |
| 寬度 | 6.22mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
