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Infineon IPB60R160P6ATMA1 MOSFET

訂 貨 號：IPB60R160P6ATMA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

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Infineon IPB60R160P6ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon CoolMOS?E6/P6 系列功率 MOSFET

Infineon 系列的 CoolMOS?E6 和 P6 系列 MOSFET。 這些高效率設(shè)備可用于多種應(yīng)用，包括功率因數(shù)校正 (PFC)、照明和消費(fèi)設(shè)備以及太陽能、電信和服務(wù)器。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 23.8 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 160 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4.5V
最小柵閾值電壓 3.5V
最大功率耗散 176 W
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
長度 10.31mm
最高工作溫度 +150 °C
寬度 4.57mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 44 nC @ 10 V
暫無
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