the Infineon 75V 單 n 通道 hex場 功率 mosfet 采用 D2 pak 封裝。
改進的澆口、雪崩和動態 dv/dt 堅固性
完全定性電容和雪崩 soa
增強的主體二極管 dv/dt 和 di/dt 能力
無鉛
符合 rohs 標準、無鹵
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 170 A |
| 最大漏源電壓 | 75 V |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 安裝類型 | 表面安裝器件 |
| 最大漏源電阻值 | 4.1 mo |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
