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Infineon BSZ040N06LS5ATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):BSZ040N06LS5ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

RoHS:符合

市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人:(女士)
電 話:
手 機(jī):
地 址:
通 訊:    
主營(yíng)產(chǎn)品:
店鋪主頁(yè)

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Infineon BSZ040N06LS5ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

英飛凌 OptiMOS? 5 N 溝道功率 MOSFET 具有 60 V 漏源電壓(VDS)和 101 A 漏電流(ID)。邏輯電平非常適合無(wú)線充電、適配器和電信應(yīng)用。設(shè)備的低柵極充電(Qg)可減少切換損耗,不會(huì)影響傳導(dǎo)損耗。品質(zhì)因數(shù)改進(jìn),允許在高切換頻率下操作。此外,邏輯電平驅(qū)動(dòng)器提供低柵極閾值電壓(V GS(th)),允許在 5 V 條件下直接從微控制器驅(qū)動(dòng) MOSFET。

經(jīng)優(yōu)化,適合高性能 SMPS(例如,同步錄音)
100% 通過(guò)雪崩測(cè)試
卓越的熱阻
N 溝道
針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用,符合 JEDEC1 標(biāo)準(zhǔn)
無(wú)鉛引線鍍層
符合 RoHS
符合 IEC61249-2-21 無(wú)鹵素


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 101 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 PG-TDSON
安裝類型 表面安裝器件
暫無(wú)
正在載入評(píng)論詳細(xì)...