Infineon 的汽車資格 COOLiRFET? 功率MOSFET 可實現非常低的導通電阻 (RDS(on))，傳導損耗非常低，從而高效快速切換大電流信號。 它們在惡劣的信號環境中提供更高的效率、功率密度和可靠性，具有強健的雪崩性能、低傳導損耗、快速切換速度和 175°C 最高結點溫度。
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 195 A, 317 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 1.6 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.9V |
| 最小柵閾值電壓 | 2.2V |
| 最大功率耗散 | 294 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 9.65mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 216 nC @ 10 V |
| 長度 | 10.67mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
