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Infineon IMW120R350M1HXKSA1 MOSFET

訂 貨 號(hào)：IMW120R350M1HXKSA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場(chǎng) 價(jià)：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
電 話：
手 機(jī)：
地 址：
通 訊：    
主營(yíng)產(chǎn)品：
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Infineon IMW120R350M1HXKSA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon coolsic ? 1200 v 、 350 mΩ sic mosfet 采用 TO247 31-3 封裝，基于最先進(jìn)的 trench 半導(dǎo)體工藝，經(jīng)過優(yōu)化可將性能與可靠性相結(jié)合。與基于硅（ si ）的傳統(tǒng)開關(guān)（如溝器和 mosfet ）相比、 sic mosfet 具有一系列優(yōu)勢(shì)。這些包括 1200 v 開關(guān)中可見的最低柵極電荷和設(shè)備電容水平、內(nèi)部防換向主體二極管無反向恢復(fù)損耗、不受溫度影響的低切換損耗和無閾值通態(tài)特性。

同類最佳的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗
基準(zhǔn)高閾值電壓、 vth > 4 v
0V 關(guān)閉柵極電壓、用于輕松簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)
寬柵 - 源電壓范圍
堅(jiān)固且低損耗主體二極管、額定用于硬換向
溫度獨(dú)立關(guān)閉開關(guān)損耗


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 4.7 A
最大漏源電壓 1200 V
封裝類型 PG-TO247-3
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 350 米Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4.5V
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
暫無
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