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the Infineon strong 的 irfet ?功率 mosfet 系列經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)低 rds (接通)和高電流容量。該設備特別適用于需要性能和堅固性的低頻應用。全面的產(chǎn)品組合可用于各種應用、包括直流電動機、電池管理系統(tǒng)、變頻器和直流 - 直流轉(zhuǎn)換器。。
針對分銷合作伙伴提供的最廣泛可用性進行了優(yōu)化
產(chǎn)品資格符合 dec 標準
高電流額定值
雙側(cè)冷卻能力
低封裝高度為 0.7 mm
低寄生電感( 1-2 nh )封裝
100% 無鉛(無 rohs 豁免)
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 19 A |
最大漏源電壓 | 100 V |
封裝類型 | Direct場 |
安裝類型 | 表面安裝器件 |
最大漏源電阻值 | 62 個月 |
最大柵閾值電壓 | 5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |