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Wolfspeed 介紹了 SiC 功率器件技術(shù)的最新突破，推出業(yè)內(nèi)僅 1kV 的 SiC MOSFET，采用新優(yōu)化封裝，適用于快速切換設(shè)備。經(jīng)優(yōu)化可用于電動(dòng)車輛充電系統(tǒng)和三相工業(yè)電源，此新型 1kV 器件通過(guò)提供具有低導(dǎo)通電阻、極低輸出電容和低源電感的獨(dú)特器件，解決了許多電源設(shè)計(jì)難題，完美融合了低切換損耗和低傳導(dǎo)損耗。

在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)具有最小 1kV 的動(dòng)態(tài)比特率
低源電感封裝，帶單獨(dú)的驅(qū)動(dòng)器源引腳
高速切換，具有低輸出電容
高阻塞電壓，具有低 RDS（接通）
快速固有二極管，具有低反向恢復(fù)（反向恢復(fù)電荷）
易于并行且易于驅(qū)動(dòng)