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75 V - 200 V N 溝道 MOSFET,您現(xiàn)在已經(jīng)邁進世界一流的標(biāo)準 MOS 產(chǎn)品系列,正尋找 75 V 至 200 V 范圍內(nèi)的高可靠性 MOSFET 來簡化設(shè)計?我們的器件特別適合對空間和功率要求嚴苛的應(yīng)用,提供極佳的開關(guān)性能和領(lǐng)先同類產(chǎn)品的安全工作區(qū) (SOA)。例如,我們的 LFPAK 功率 MOSFET 系列具有超低 RDSon、高速開關(guān)和高達 200 V 的電壓額定值。
100 V,N 溝道 Trench MOSFET,N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝,采用 Trench MOSFET 技術(shù)。
                        
                            邏輯電平兼容
超快切換
Trench MOSFET 技術(shù)
靜電放電 (ESD) 保護:> 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
繼電器驅(qū)動器
高速線路驅(qū)動器
低側(cè)負載開關(guān)
開關(guān)電路 
                        
                    
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 1 A | 
| 最大漏源電壓 | 100 V | 
| 封裝類型 | SOT23, TO-236AB | 
| 安裝類型 | 表面貼裝 | 
| 引腳數(shù)目 | 3 | 
| 最大漏源電阻值 | 892 mΩ | 
| 通道模式 | 增強 | 
| 最大柵閾值電壓 | 2.7V | 
| 最小柵閾值電壓 | 1.3V | 
| 最大功率耗散 | 5 W | 
| 晶體管配置 | 單 | 
| 最大柵源電壓 | 20 V | 
| 寬度 | 1.4mm | 
| 每片芯片元件數(shù)目 | 3 | 
| 典型柵極電荷@Vgs | 10 V 時,4.5 常閉 | 
| 長度 | 3mm | 
| 最高工作溫度 | +150 °C |