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Nexperia PMV280ENEAR MOSFET

訂 貨 號(hào)：PMV280ENEAR      品牌：PMV

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場(chǎng) 價(jià)：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
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Nexperia PMV280ENEAR MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

75 V - 200 V N 溝道 MOSFET，您現(xiàn)在已經(jīng)邁進(jìn)世界一流的標(biāo)準(zhǔn) MOS 產(chǎn)品系列，正尋找 75 V 至 200 V 范圍內(nèi)的高可靠性 MOSFET 來簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)？我們的器件特別適合對(duì)空間和功率要求嚴(yán)苛的應(yīng)用，提供極佳的開關(guān)性能和領(lǐng)先同類產(chǎn)品的安全工作區(qū) (SOA)。例如，我們的 LFPAK 功率 MOSFET 系列具有超低 RDSon、高速開關(guān)和高達(dá) 200 V 的電壓額定值。

100 V，N 溝道 Trench MOSFET，N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術(shù)。

邏輯電平兼容
超快切換
Trench MOSFET 技術(shù)
靜電放電 (ESD) 保護(hù)：> 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
繼電器驅(qū)動(dòng)器
高速線路驅(qū)動(dòng)器
低側(cè)負(fù)載開關(guān)
開關(guān)電路


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 1 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 SOT23, TO-236AB
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 892 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.7V
最小柵閾值電壓 1.3V
最大功率耗散 5 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 20 V
寬度 1.4mm
每片芯片元件數(shù)目 3
典型柵極電荷@Vgs 10 V 時(shí)，4.5 常閉
長(zhǎng)度 3mm
最高工作溫度 +150 °C
暫無
正在載入評(píng)論詳細(xì)...