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Infineon IMBG65R022M1HXTMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào)：IMBG65R022M1HXTMA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場(chǎng) 價(jià)：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
電 話：
手 機(jī)：
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通 訊：    
主營產(chǎn)品：
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Infineon IMBG65R022M1HXTMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

英飛凌 SiC MOSFET 是一款 650 V CoolSiC，基于固體碳化硅技術(shù)，利用寬帶隙 SiC 材料特性，650 V CoolSiC MOSFET 提供了性能、可靠性和易用性的獨(dú)特組合，適用于在高溫和惡劣環(huán)境中操作，可實(shí)現(xiàn)最高系統(tǒng)效率的簡(jiǎn)化和具有成本效益的部署。

更高電流時(shí)的優(yōu)化切換行為,
切換堅(jiān)固的快速主體二極管,具有低 Qf,
卓越的
柵極氧化可靠性,Tj,最大 -175°C 和出色的熱性行為,
較低的 RDS(接通)和脈沖電流依賴溫度,
增強(qiáng)的浪涌能力,
與標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)器兼
容,Kelvin 源提供高達(dá) 4 倍低的切換損耗


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 64 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 TO-263
安裝類型 表面貼裝
暫無
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