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ON Semiconductor N 通道 MOSFET 采用 Advanced 電源溝道工藝生產(chǎn),該工藝包含屏蔽柵極技術(shù)。此過程經(jīng)優(yōu)化可耐受有效減少通態(tài)電阻,但仍保持卓越的切換性能。
                        
                            有效減少傳導(dǎo)損耗
高 Peak 電流和低寄生電感
為具有熱挑戰(zhàn)的應(yīng)用提供更寬的設(shè)計余量
減少切換峰值 
                        
                    
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 135 A | 
| 最大漏源電壓 | 150 V | 
| 封裝類型 | DFNW | 
| 安裝類型 | 表面貼裝 | 
| 引腳數(shù)目 | 8 | 
| 最大漏源電阻值 | 0.0064 Ω | 
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V | 
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |