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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi)：

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Infineon IRFI4019HG-117P MOSFET

訂 貨 號(hào)：IRFI4019HG-117P      品牌：IR/國(guó)際整流器

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場(chǎng) 價(jià)：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
電 話(huà)：
手 機(jī)：
地 址：
通 訊：    
主營(yíng)產(chǎn)品：
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Infineon IRFI4019HG-117P MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

數(shù)字音頻 MOSFET，Infineon

D 類(lèi)放大器正快速成為專(zhuān)業(yè)和家庭音頻和視頻系統(tǒng)的首選解決方案。 Infineon 提供全面的系列，可簡(jiǎn)化高效 D 級(jí)放大器設(shè)計(jì)。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類(lèi)最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 8.7 A
最大漏源電壓 150 V
封裝類(lèi)型 TO-220
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 5
最大漏源電阻值 95 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大功率耗散 18 W
晶體管配置 串行
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目 2
典型柵極電荷@Vgs 13 nC @ 10 V
長(zhǎng)度 10.63mm
最高工作溫度 +150 °C
寬度 4.83mm
晶體管材料 Si
暫無(wú)
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