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Infineon BSS606NH6327XTSA1 MOSFET

訂 貨 號：BSS606NH6327XTSA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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Infineon BSS606NH6327XTSA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET，60 至 80V

OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝，可處理最具挑戰(zhàn)性的應用，在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設計符合并超過計算機應用中更嚴格的下一代電壓調(diào)節(jié)標準的能效和功率密度要求。

快速切換 MOSFET，用于 SMPS
優(yōu)化技術，用于直流/直流轉(zhuǎn)換器
符合目標應用的 JEDEC1 規(guī)格
N 通道，邏輯電平
極佳的柵極電荷 x R DS(on) 產(chǎn)品 (FOM)
極低導通電阻 R DS(on)
無鉛電鍍

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 3.2 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 PG-SOT-89
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 4
最大漏源電阻值 90 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.3V
最小柵閾值電壓 1.3V
最大功率耗散 1 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
晶體管材料 Si
寬度 2.5mm
最高工作溫度 +150 °C
長度 4.5mm
典型柵極電荷@Vgs 3.7 nC @ 5 V
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無
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