當(dāng)前位置: 首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較





| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 117 A | 
| 最大漏源電壓 | 30 V | 
| 封裝類型 | DPAK (TO-252) | 
| 安裝類型 | 表面貼裝 | 
| 引腳數(shù)目 | 3 | 
| 最大漏源電阻值 | 5.5 mΩ | 
| 通道模式 | 增強 | 
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V | 
| 最大功率耗散 | 107 W | 
| 晶體管配置 | 單 | 
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V | 
| 晶體管材料 | Si | 
| 長度 | 6.73mm | 
| 最高工作溫度 | +175 °C | 
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 | 
| 典型柵極電荷@Vgs | 73 nC @ 11.5 V | 
| 寬度 | 7.49mm |