Infineon 為電動機控制應用提供全面的強建 N 通道和 P 通道 MOSFET 設備組合。
同步整流 MOSFET 設備的組合，適用于交流-直流電源，支持客戶對更高功率密度、更小尺寸、更便于攜帶和更靈活的系統的需求。
標準插腳允許插入式更換
高載流能力封裝
行業標準資質等級
低頻應用中的高性能
增加功率密度
為設計師提供了為其應用程序選擇最佳設備的靈活性
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 65 A |
| 最大漏源電壓 | 200 V |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 24 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 最小柵閾值電壓 | 3V |
| 最大功率耗散 | 330 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
| 長度 | 10.66mm |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型柵極電荷@Vgs | 70 nC @ 10 V |
| 寬度 | 4.82mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
